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LED防爆灯芯片的重要参数

来源:新黎明科创控股有限公司更新日期:2019-07-12 14:03:00

LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件,LED放光的原理主要在于LED芯的P-N结。一般来说,半导体晶片是由两部分组成。一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就就形成了一个P-N结(LED电视)。


当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的(LED显示器)。

新黎明科创LED防爆灯


一、LED防爆灯芯片的特点:


1、四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

2、信赖性优良。

3、应用广泛。

4、安全性高。

5、寿命长。


二、LED防爆灯芯片的重要参数:


1.LED芯片正向工作电流If:

它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。


2.正向工作电压VF:

参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。


3.LED芯片V-I特性:

发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。


4.发光强度IV:

发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉,mcd)作单位。


5.LED的发光角度:

-90°-+90°


6.LED芯片光谱半宽度Δλ:

它表示发光管的光谱纯度。


7.半值角θ1/2和视角:

θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。


8.全形:

根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。


9.视角:

指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。


10.半形:

法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。


11.LED芯片最大正向直流电流IFm:

允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。


12.最大反向电压VRm:

所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。


13.LED芯片工作环境topm:

发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。


14.允许功耗Pm:

允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。


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